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陈文锁
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陈文锁


学历:博士

职称:副研究员,硕导

邮箱:wensuochen@cqu.edu.cn

研究方向:新型半导体功率器件


个人简介

男,2004年获重庆大学应用物理学学士学位,2007年获重庆大学理论物理学硕士学位;2012年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。2012年-2018年在中国电子科技集团公司第二十四研究所任工程师、高级工程师,致力于新型半导体功率器件与模拟集成电路工艺的研究。中电科技集团重庆声光电有限公司首届科学技术委员会微电子组专家。

2018年12月加入澳门葡亰网站所有平台。发表学术论文30余篇,授权和申请专利40余项。主持和参与国家自然科学基金、省部级项目多项。主导开发成功SBD系列、SBR系列、FRD系列、IGBT系列、LDMOS等多款产品。获2014年重庆市博士后科研项目特别资助。获2018年重庆市科技进步三等奖(排名第1)。